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IRF6215S/L
2000
1600
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s +C gd
20
16
I D = -6 .6 A
V D S = -12 0V
V D S = -75 V
V D S = -30 V
C iss
1200
800
400
C oss
C rss
12
8
4
FO R TE S T CIR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
20
40
60
80
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10μ s
10
T J = 17 5 °C
T J = 25 °C
10
100μ s
1
1m s
T C = 25°C
T J = 17 5°C
0.1
V G S = 0V
A
1
S ing le P u lse
10m s
A
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
1
10
100
1000
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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